1 南京电子器件研究所, 南京 210016
2 电子科技大学 电子科学与工程学院, 成都 611731
基于GaN/AlGaN/GaN-on-Si材料,研制了一种高压低功耗新型肖特基二极管(SBD)。由于异质结的极化效应,在AlGaN/GaN界面会产生高浓度的二维电子气(2DEG),在GaN/AlGaN界面产生二维空穴气(2DHG)。首先,在正向阻断时,随着偏压的升高,2DEG和2DHG被完全耗尽,在界面处留下固定的正/负极化电荷而构成极化结,电力线从正电荷指向负电荷,使得漂移区内的电场分布较均匀,提高了二极管的击穿电压。其次,肖特基二极管的阳极GaN/AlGaN层被完全刻蚀,获得了低的开启电压。最后,开发了低损伤ICP刻蚀工艺,降低了肖特基接触界面的缺陷,减小了反向泄漏电流和开启电压。实验结果表明,二极管的击穿电压为1 109 V@1 mA/mm,开户电压为0.68 V,比导通电阻为1.17 mΩ·cm2,Baliga FOM值为1 051 MW/cm2。该SBD兼具高击穿电压和低开启电压的特点,均匀性好。
功率二极管 肖特基二极管 GaN GaN power diode 2DHG 2DHG SBD
1 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室, 南京 210016
2 中国电子科技集团公司第五十五研究所, 南京 210016
3 东南大学 先进光子学中心, 南京 210096
介绍了LNOI材料、光波导制备、光耦合和器件技术方面的研究进展, 并针对LNOI材料在光电集成芯片方面的发展进行了展望。
薄膜铌酸锂 绝缘层上铌酸锂 集成微波光子 光电集成 thin film lithium niobate LNOI integrated microwave photonics optoelectronic integration
